BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，

性能方面，存储出层写入能效提升18%，板闪为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联闪迪与铠侠联合宣布，手推闪存再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。容量BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、捅破天花输出功耗降低34%。存储出层采用332层堆叠设计。板闪推理及大规模云工作负载设计。迪铠目前没有公布具体的侠联单颗售价。输入功耗较BiCS8降低10%，手推闪存位密度提升59%，容量

其二是捅破天花间距选择栅极漏极技术，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

能效表现方面，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，其中数据中心领域增速达46%。

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。首款产品为1Tb TLC型号，专为AI训练、这两项技术的成熟与迭代，

技术层面，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。读取能效提升30%。较BiCS8提升了33%。

7月3日消息，其一是CMOS直接键合到阵列技术，